姓名：赵建辉 性别：男 职称：讲师

职务： 学历：博士 电子邮件：zhaojianhui@hbu.edu.cn

通讯地址：河北省保定市莲池区七一东路2666号

研究方向：

忆阻器、类脑神经器件与系统、半导体材料

承担项目

1.河北省科技厅，Mott绝缘体SmNiO₃选通管性能调控及其在神经元电路中的应用，编号：F2022201054起止时间：2022-01至2024-12总经费：6万

2.河北省教育厅青年项目，基于Mott绝缘体VO₂的相变选通管及其神经元电路研究，编号：QN2021026起止时间：2021.1-2023.12总经费：2.5万

3.河北大学，用于神经元电路的相变忆阻器制备方法及机理特性研究，编号521000981426，2020.12.31-2023.12.31，总经费50万

4.中国科学技术协会，“科创中国”河北生物医药及制造区域科技服务团，编号：2021KJFWT02-2-02，起止时间：2021.1-2021.12，总经费50万

发表论文

1.Yan, X. #*;Zhao, J.#; Liu, S.; Zhou, Z.; Liu, Q.*; Chen, J.; Liu, X. Y*. Memristor with Ag-cluster-doped TiO2 films as artificial synapse for neuroinspired computing. Adv. Funct. Mater. 2018, 28 (1), 1705320.（ESI高被引，1区）

2.Xing, Y.#; Shi, C.#;Zhao, J.#; Qiu, W.; Lin, N.; Wang, J.; Yan, X. B.*; Yu, W. D.; Liu, X. Y.* Mesoscopic-functionalization of silk fibroin with gold nanoclusters mediated by keratin and bioinspired silk synapse. Small 2017, 13 (40), 1702390.（1区）

3.Zhao, J.; Zhou, Z.; Zhang, Y.; Wang, J.; Zhang, L.; Li, X.; Zhao, M.; Wang, H.; Pei, Y.; Zhao, Q.; Xiao, Z.; Wang, K.; Qin, C.; Wang, G.; Li, H.; Ding, B. F.; Yan, F.; Wang, K.; Ren, D.*; Liu, B.*; Yan, X.* An electronic synapse memristor device with conductance linearity using quantized conduction for neuroinspired computing. J. Mater. Chem. C 2019, 7 (5), 1298-1306. (1区)

4.Zhao, J.; Zhou, Z.; Wang, H.; Wang, J.; Hao, W.; Ren, D.; Guo, R.; Chen, J.; Liu, B.*; Yan, X.* A Boolean OR gate implemented with an optoelectronic switching memristor. Appl. Phys. Lett. 2019, 115 (15), 153504. (2区，TOP)

5.Zhao, J. H.; Yan, X. B.*; Li, Y. C.; Yang, T.; Jia, X. L.; Zhou, Z. Y.; Zhang, Y. Y. Impacts of annealing temperature on charge trapping performance in Zr0.5Hf0.5O2 for nonvolatile memory. J. Appl. Phys. 2016, 120 (14), 145304. (3区)

6.Liu, L.;Zhao, J.*; Cao, G.; Zheng, S.; Yan, X.* A memristor-based silicon carbide for artificial nociceptor and neuromorphic computing. Adv. Mater. Techn. 2021, 6(12), 2100373. (2区)

7.Ran, Yunfeng；Pei, Yifei；Zhou, Zhenyu；Wang, Hong；Sun, Yong；Wang, Zhongrong；Hao, Mengmeng；Zhao, Jianhui*；Chen, Jingsheng*；Yan, Xiaobing* A review of mott insulator in memristors: The materials, characteristics, applications for future computing systems and neuromorphic computing. Nano Research, 2022, (1区)

8.Zhao J, Sun Y, Lu W, et al. Realization of long retention properties of quantum conductance through confining the oxygen vacancy diffusion. Applied Physics Reviews, 2022, 9: 021419（1区）

9.Yan X, Yan H, Liu G, et al. Silicon-based epitaxial ferroelectric memristor for high temperature operation in self-assembled vertically aligned batio3-ceo2 films. Nano Research, 2022,（1区）

授权专利

1）闫小兵,赵建辉,李小燕；一种基于SiO2神经仿生层的神经仿生器件及其制备方法，专利号：2016109866206

2）闫小兵,赵建辉,赵孟柳；一种基于Ga2O3神经仿生层的神经仿生器件及其制备方法，专利号：2016109866668

3）闫小兵,赵建辉,张磊；一种基于TiO2神经仿生层的神经仿生器件及其制备方法，专利号：2016109866193

社会服务

“科创中国”河北生物医药及制造区域科技服务团成员

社会兼职

“科创中国”河北生物医药及制造区域科技服务团成员