权属人：河北大学 权属单位：河北大学 证号：202111074604
专利类型：发明专利 公告日：2021-09-22
本发明提供了一种硅基分子束异质外延生长材料的制备方法及忆阻器和应用，所述外延生长材料的结构是在P型Si衬底上依次生长SrTiO3层、La0.67Sr0.33MnO3层、(BaTiO3)0.5-(CeO2)0.5层；硅基外延生长结构是在特定温度和特定氧压的情况下，依次生长第一层SrTiO3层、第二层La0.67Sr0.33MnO3层、第三层BaTiO3与CeO2原子比为0.5∶0.5的（BaTiO3)0.5-(CeO2)0.5层。本发明所提供的硅基分子束异质外延生长方法使用激光脉冲沉积法，方法比较简单，容易控制，第一层SrTiO3缓冲层的厚度可达到40nm，并实现了忆阻器功能及仿神经特性。
